Еврокомиссия одобрила австрийскую господдержку Infineon Technologies для модернизации завода в Филлахе и создания первой в мире крупносерийной площадки по выпуску полупроводников нового поколения.
Европейская комиссия одобрила выделение 319 млн евро государственной помощи Австрии для полупроводникового гиганта Infineon Technologies, чтобы частично профинансировать модернизацию его завода в Филлахе стоимостью 1,1 млрд евро. Это вложение позволит компании нарастить выпуск продукции и создать, как она утверждает, первую в мире крупносерийную производственную площадку для силовых полупроводников нового поколения на основе нитрида галлия на пластинах диаметром 300 миллиметров.
РЕКЛАМА
РЕКЛАМА
Как сообщила Комиссия в своем заявлении (источник на английском языке) в среду 28 октября, эта мера в рамках закона ЕС о чипах призвана «укрепить позицию и автономию ЕС в цепочке создания стоимости в полупроводниковой отрасли». Союз стремится сократить зависимость от импорта микросхем из третьих стран и закрепить за собой статус технологического лидера наряду с США и Китаем.
ЕС намерен увеличить свою долю в мировом производстве полупроводников с 10% в 2023 году до 20% к 2030 году. Закон о чипах также нацелен на стимулирование спроса на микросхемы европейского производства и помощь местным поставщикам в наращивании масштабов.
По словам Infineon, инвестиции превратят площадку в Филлахе в «глобальный центр компетенций по силовым полупроводникам».
Федеральный канцлер Австрии Кристиан Штокер назвал проект «одной из крупнейших единичных инвестиций в истории высокотехнологичной отрасли Австрии».
«Это не только серьезное подтверждение привлекательности Австрии как места ведения бизнеса, но и вклад в то, чтобы будущее полупроводниковой индустрии формировалось не исключительно в Азии или Соединенных Штатах, но также в Австрии и Европе», добавил он.
Infineon, немецкая компания, специализирующаяся на силовых системах и автомобильных полупроводниках, занимает 29% рынка в первом сегменте и 50% в сегменте автомобильных чипов.
«Этот масштабный проект демонстрирует нашу четкую приверженность укреплению европейской полупроводниковой экосистемы и технологического суверенитета Европы», заявил Йохен Ханебек (источник на английском языке), генеральный директор Infineon Technologies AG.
«Запустив крупносерийное производство на пластинах диаметром 300 миллиметров, мы станем первой компанией в мире, которая выведет силовую электронику на основе нитрида галлия на уровень массового выпуска», добавил он.
Новый тип полупроводников
По данным Infineon, в 2024 году она первой успешно обработала 300‑миллиметровые пластины из нитрида галлия (GaN).
Силовые полупроводники на основе GaN все чаще вытесняют кремний в силовой электронике, поскольку выдерживают более высокие напряжения, обеспечивают более быструю коммутацию и лучше переносят повышенные температуры.
Такие компоненты используются в зарядных устройствах для смартфонов, ноутбуков и планшетов, а также в центрах обработки данных для ИИ, электрических автомобилях, солнечных панелях и ветрогенераторах, базовых станциях связи 5G и 6G и робототехнике. Благодаря высокой энергоэффективности они особенно востребованы в областях, где важно снижать потребление энергии.
Пластины диаметром 300 миллиметров больше традиционных 200‑миллиметровых, что позволяет производить в 2,3 раза больше отдельных чипов с одной пластины и снижать издержки.
Аналитики ожидают, что к 2031 году мировой рынок силовых полупроводников на основе GaN достигнет примерно 3,1 млрд долларов, а среднегодовой рост в период с 2025 по 2031 год составит около 35%.
Завершить модернизацию площадки в Филлахе планируется в 2034 году.